記憶體

記憶體國產自製 利基型市場占有一席之地

1980年代的臺灣並沒有製造記憶體的技術,業者使用的DRAM都從國外進口,1986年左右全球DRAM大缺貨,也導致臺灣電腦業者不是無法出貨,就是只能忍受飛漲的價格,當時的記憶體佔電腦製造成本25%之高。為確保DRAM來源無虞,1990年工研院展開「次微米製程技術發展計畫」,並延攬當時在貝爾實驗室任職的盧志遠博士,建立八吋晶圓次微米實驗室,目標將臺灣的IC製造能力,從當時的1微米提升至0.5微米。

1993年首批八吋晶圓0.5mm 16Mb DRAM驗證成功,為國人首度以自有技術製作完成之DRAM產品。1994年衍生成立臺灣第一家具有研發和量產DRAM實力的「世界先進積體電路公司」。次微米計畫不僅使臺灣擁有自主研發DRAM的技術,帶動八吋晶圓製造廠的投資熱潮,並培育出300多位具有傑出研發能力的工程師人才,帶領臺灣半導體產業步入高峰。迄今隨著AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速發展,工研院持續開發下世代前瞻記憶體,為臺廠前進新世代記憶體鋪下康莊大道。

1990

與鈺創公司共同開發完成「4Mb DRAM」,第一批晶圓製程僅耗時30天,締造試製最短週期。

1990

執行「次微米製程技術發展計畫」,研發DRAM製造技術。

1992

成功試量產國內第一批超快速、低耗能「256K SRAM記憶體」產品,是國人首批以自有技術開發的SRAM產品。

1993

國內首座八吋晶圓廠次微米實驗室落成。

1993

首批「八吋晶圓0.5mm 16Mb DRAM」驗證成功,為國人首度以自有技術製作完成之DRAM產品。

1994

衍生成立「世界先進積體電路公司」,為臺灣第一家具有研發和量產DRAM實力的公司。

2004

與台積電合作開發出「磁性隨機存取記憶體(MRAM)」。

2012

與Intel、鈺創共同開發「新世代記憶體與處理器堆疊3D IC技術」,為國內首創DRAM高階建模技術。

2022

與台積電開發「自旋軌道扭矩磁性記憶體(SOT-MRAM)陣列晶片」,及與國立陽明交通大學合作研發「新興磁性記憶體技術」,獲得突破性的進展。

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